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一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术
作者姓名:刘秀喜 陈刚
作者单位:[1]山东师范大学半导体所 [2]山东济宁硅元件厂
摘    要:阐述了受主杂质在Si中的扩散行为,快速晶闸管制造中的P型区掺杂工艺设计原理,掺杂方法和杂质浓度分布,并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果。通过实验和应用表明,该项技术具有先进性和可行性,为制造快速晶闸管开辟了一条新工艺途径。

关 键 词:晶闸管 扩散行为 P型双质掺杂 掺杂
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