对位取代苯磺酸根插层水滑石的合成与层柱相互作用 |
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作者姓名: | 郭军 邓丽英 胡传跃 易涛 申湘忠 |
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作者单位: | 湖南人文科技学院,化学与材料科学系,湖南,娄底,417000 |
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摘 要: | 以Zn2Al-硝酸根水滑石为前驱体,采用水溶液中阴离子直接交换法制备了对甲苯磺酸根和对氨基苯磺酸根插层水滑石,在用XRD和IR对样品的结构进行表征的基础上,用IR研究了插层材料中层柱相互作用情况。结果表明,在选择的实验条件下能很好地合成出结晶度高、晶相单一、层柱结构规整的插层材料;不同温度处理的样品的IR研究表明,样品的热处理过程实质上是一个促进层柱相互作用的过程,其直接结果是形成氢键。
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关 键 词: | 对甲苯磺酸 对氨基苯磺酸 插层水滑石 合成 层柱相互作用 |
文章编号: | 1671-0231(2006)04-0026-05 |
收稿时间: | 2006-10-26 |
修稿时间: | 2006-10-26 |
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