大功率可控硅的正向特性理论

考虑到大注入下的电子—空穴等离子体散射效应并应用对称边界条件,本文建立起了一种大功率可控硅的正向特性公式。数字计算表明,所得新公式与Herlet的实验数据和我国华中工学院等的实验和生产数据较好符合。考虑到一机部部颁标准要求测元件的平均通态正向压降而不是瞬态通态正向压降,本文还进一步从瞬态压降公式导出了平均压降的公式,以供设计和产品质量检查时参考。