柔性PZT外延薄膜制备及其电学性能研究 |
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引用本文: | 陈浩,郑志强,祁亚军,梁坤,章天金.柔性PZT外延薄膜制备及其电学性能研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2019,41(3). |
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作者姓名: | 陈浩 郑志强 祁亚军 梁坤 章天金 |
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作者单位: | 湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062;湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062;湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062;湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062;湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;湖北省重点实验室开放基金 |
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摘 要: | 采用脉冲激光沉积技术在柔性云母衬底上制备高质量的Pb(Zr_(0. 52)Ti_(0. 48))O_3(PZT)外延薄膜.引入NiFe_2O_4作为外延生长种子层,实现PZT薄膜的(111)取向外延生长.电学性能测试显示其具有优异的铁电压电性能,在未弯曲时,剩余极化(2P_r)值和压电系数(d_(33))分别为55μC/cm~2和87 pm/V.柔性PZT存储单元在弯曲、变温等条件下的铁电保持、疲劳性能测试显示其具有可靠稳定的信息存储功能.该结果表明柔性PZT薄膜在可穿戴电子器件领域具有重要的应用前景.
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关 键 词: | 柔性 PZT薄膜 电学性能 稳定性 |
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