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钇掺杂P型赝三元半导体热电材料的微观结构与热电性能
引用本文:潘春光,王义伟,王月媛.钇掺杂P型赝三元半导体热电材料的微观结构与热电性能[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2019,35(2).
作者姓名:潘春光  王义伟  王月媛
作者单位:哈尔滨师范大学;哈尔滨师范大学;哈尔滨师范大学
基金项目:黑龙江省教育厅科学技术研究项目
摘    要:采用机械合金化热压法制备钇掺杂P型Bi_2Te_3基赝三元热电材料.XRD和SEM微观结构分析表明,烧结前后样品的衍射峰变高变窄,晶粒长大;随热压温度的升高,结构更加致密.热电性能分析表明,随热压温度的升高,电导率和热导率增大,而温差电动势率略有减小,材料300K下的ZT值在Y掺杂浓度为0.1%热压温度为200℃的情况下约为0.77.

关 键 词:钇掺杂  热电材料  热电性能
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