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| 碳硅原子链电子输运性质的理论计算 | |
| 作者姓名： | 张淑华 柳福提 |
| 作者单位： | 宜宾学院化学与化工学院,四川宜宾,644007;宜宾学院物理与电子工程学院,四川宜宾,644007 |
| 摘 要： | 以C-Si-C-Si直线原子链与Au(100)-3×3电极耦合所构成的纳米结点为研究对象,用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对结点的电子输运进行了理论模拟.计算结果得到:当2电极距离为1.686 nm时,纳米结点体系总能量最低,结构最稳定,C-Si平均键长为0.166 nm,此时结点的透射系数为0.627,平衡电导为0.627 G_0,电子传输通道主要由碳、硅原子的p电子轨道形成的π键所构成;在电压为0～1.0 V时,纳米结点稳定结构的电导随着外偏压的增大而减小. |
| 关 键 词： | 碳硅原子链 电子输运 非平衡格林函数 第一性原理 |
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