首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

用于MOS功率集成电路的VVMOS和NMOS相容技术研究
作者姓名:张蓓榕  汤世豪  袁美英  徐静芳
作者单位:华东师范大学物理系(张蓓榕,汤世豪,袁美英),华东师范大学物理系(徐静芳)
摘    要:本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术把VVMOS功率晶体管相容集成到NMOS电路中去亦是可能的.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号