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| BmNn、BmNn-和BmNn＋电子特性的研究 | |
| 引用本文： | 林家勇.BmNn、BmNn-和BmNn＋电子特性的研究[J].科技信息,2009(22):79-79,81. |
| 作者姓名： | 林家勇 |
| 作者单位： | 广东工业大学华立学院机电工程学院; |
| 摘 要： | 本文采用密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法，在6-31G（d）相同水平上计算了BmNn（m＋n＋15）的绝热电子亲和势，BmNn-的垂直电离势，BmNn＋的绝热电离势和垂直电离势。结果表明：BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱，B2N2-失电子能力最强，BN4-失电子能力最弱，BN2-和B2N-．BN-和B3N-的垂直电离能力相同。 |
| 关 键 词： | 团簇 垂直电离势 绝热亲和势 密度泛函理论 |
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