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| 新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性 | |
| 引用本文： | 门传玲,徐政,安正华,林成鲁.新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性[J].同济大学学报(自然科学版),2003,31(3):361-364. |
| 作者姓名： | 门传玲 徐政 安正华 林成鲁 |
| 作者单位： | 1. 同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 2. 同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 699760 3 4，90 10 10 12 )，国家重点基础研究专项经费资助项目 (G2 0 0 0 0 3 65 ) |
| 摘 要： | 为减轻传统SOI(silicon on insulator)材料的自加热效应 ,首次利用智能剥离技术 (smart cutprocess)成功制备了SOAN(silicon on aluminum nitride)结构 ,即以氮化铝 (AlN)薄膜为埋层的SOI结构 .采用离子束增强技术(IBED)在 10 .16cm(4in)硅片上合成了AIN薄膜 .剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构 .高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力 ,实验结果表明刚得到的SOAN结构在 110 0℃下退火 1h后顶层硅中的剩余晶格应力从张应力变成压应力 |
| 关 键 词： | 氮化铝薄膜 应力 高分辨X射线衍射 |
| 文章编号： | 0253-374X(2003)03-0361-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月8日 |
Residual Strain of Silicon-on-AlN Novel Structure |
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| MEN Chuan-ling ,XU Zheng ,AN Zheng-hua ,LIN Cheng-lu.Residual Strain of Silicon-on-AlN Novel Structure[J].Journal of Tongji University(Natural Science),2003,31(3):361-364. | |
| Authors: | MEN Chuan-ling XU Zheng AN Zheng-hua LIN Cheng-lu |
| Institution: | MEN Chuan-ling 1,2,XU Zheng 1,AN Zheng-hua 2,LIN Cheng-lu 2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | AIN films strain high resolution X ray diffraction |
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