| a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应 |
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| 引用本文： | 王印月,许怀哲,刘东琦,张仿清.a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应[J].甘肃科学学报,1991(1). |
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| 作者姓名： | 王印月 许怀哲 刘东琦 张仿清 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系 兰州 730000，兰州 730000，兰州 730000，兰州 730000 |
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| 摘 要： | 本文通过对反应溅射法制备的a—si∶H/a—Ge∶H多势垒异质结电流——电压关系的测量,研究了多势垒异质结的载流子输运机理,在室温观察到了强场下通过多势垒结构的隧道电流,并检测了热电子的产生。
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| 关 键 词： | 隧道效应 异质结 |
Tunnelling Effect of Multi-Barrier Structure in a-Si : H/a-Ge : H |
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| Wang Yinyue,Xu Huaizhe,Liu Dongqi and Zhang Fangqing.Tunnelling Effect of Multi-Barrier Structure in a-Si : H/a-Ge : H[J].Journal of Gansu Sciences,1991(1). |
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| Authors: | Wang Yinyue Xu Huaizhe Liu Dongqi and Zhang Fangqing |
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| Abstract: | The carrier transport mechanisms of the heterojunction have been investigated by measuring the current-voltage (I-V) characteristic of multi-barrier heterojunctionn in the reactively sputtered a-Si :H/a-Ge: H. The tunnelling currents of the multi-barrier structure under strong field at room temperature were observed. In addition, the generation of hot electrons was detected. |
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| Keywords: | Tunnelling effect Heterojunction |
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