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| 缺陷工程——开发大规模集成电路硅材料的一个重要因素 | |
| 作者姓名： | 麦振洪 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 随着近代科学技术的发展,人们对材料的要求越来越高。目前,固体缺陷的研究已超越物理学的范畴,向其他学科渗透,向纵、深发展,已经成为材料科学的一个重要组成部分。固体缺陷研究的一个主要任务是,研究材料缺陷的形成、演变及其对性能的影响,采用先进工艺技术,减少缺陷的产生,以获得高质量的材料。近年来,根据应用对材料的要求,人为地控制或利用缺陷,以获得高质量的材料,这 |
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