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| 射频反应性溅射Cd—Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜 | |
| 引用本文： | 蒋生蕊,彭栋梁,孙文红,张承理.射频反应性溅射Cd—Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜[J].兰州大学学报(自然科学版),1992(4). |
| 作者姓名： | 蒋生蕊 彭栋梁 孙文红 张承理 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 兰州730000 (蒋生蕊，彭栋梁，孙文红)，兰州大学物理系 兰州730000(张承理) |
| 摘 要： | 近年来,透明导电 Cd_2SnO_4薄膜以其在可见光区域好的透明性(平均透光率达90%)和高的导电性(电阻率约为10~(-6)Ω·m)而受到广泛重视。尤其是它在用于光电子和太阳能转换装置中的透明电极等方面具有诱人的应用前景。采用射频溅射热压多晶Cd_2SnO_4靶和直流反性应溅射 Cd—Sn 合金靶等方法沉积 Cd_2SnO_4膜及其物理性质的研 |
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