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| GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析 | |
| 引用本文： | 王建利,孙强,李静,马农农,薄春霞.GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析[J].天津科技,2011(6):17-19. |
| 作者姓名： | 王建利 孙强 李静 马农农 薄春霞 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | 为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行了光荧光谱（PL）、二次离子质谱（SIMS）等测试。通过对这些测试结果进行综合分析，最终确定了造成产品出现“斑”现象的原因，通过改进工艺，向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。 |
| 关 键 词： | 掺硅砷化镓单面抛光片 光荧光谱（PL） 二次离子质谱（SIMS） |
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