| 铝掺杂氧化锌薄膜电学特性的研究 |
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| 引用本文： | 吴木生,艾书彬,罗文崴,邓海东,叶志清. 铝掺杂氧化锌薄膜电学特性的研究[J]. 江西师范大学学报(自然科学版), 2009, 33(4) |
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| 作者姓名： | 吴木生 艾书彬 罗文崴 邓海东 叶志清 |
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| 作者单位： | 江西师范大学物理与通信电子学院,江西,南昌,330022;华南农业大学理学院,广东,广州,510642 |
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| 基金项目： | 江西师范大学青年成长基金 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积法,在氧气氛下(氧分压为20 Pa)以硅为基体制备了ZnO:Al透明导电膜.靶材选用(ZnO)1-x(Al2O3)x陶瓷靶,沉积过程中基体温度保持在600℃.通过对膜进行霍尔效应测量及SEM、XRD测试分析,研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的电学特性的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学性能和膜的结晶状况.掺杂铝的质量分数为1.37%时所获得的ZnO薄膜具有最小的电阻率.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 氧化锌薄膜 铝掺杂 电学特性 |
Investigation on Electrical Property of AI-Doped ZnO Thin Films |
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