| P型ZnO薄膜的制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 孔春阳,王楠,朱仁江,秦国平,戴特力,南貌,阮海波.P型ZnO薄膜的制备及特性研究[J].重庆师范大学学报(自然科学版),2007,24(2):21. |
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| 作者姓名： | 孔春阳 王楠 朱仁江 秦国平 戴特力 南貌 阮海波 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学,物理学与信息技术学院,重庆,400047 |
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| 基金项目： | 重庆市自然科学基金(No．AC4034)，重庆市教委科研基金项目(N0．KJ050812) |
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| 摘 要： | ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料,是一种理想的短波长发光器件材料,在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景,实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术,在直径为100 mm的单晶Si(110)衬底上制备ZnO薄膜,薄膜厚度为1.8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜(SEM)观察表明,离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷,粗糙度明显增加,但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射(XRD)给出样品具有对应于ZnO(002)面的衍射峰,表明薄膜具有较好的c轴择优取向。在不同温度下(500℃,650℃,800℃,900℃,950℃),
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| 关 键 词： | 离子注入 P型ZnO薄膜 退火 射频磁控溅射 |
| 文章编号： | 1672-6693(2007)02-0021-01 |
| 修稿时间： | 2007年3月2日 |
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