IBAD-YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制的影响 |
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引用本文: | 赵子甲.IBAD-YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制的影响[J].科技资讯,2015(10). |
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作者姓名: | 赵子甲 |
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作者单位: | 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心 江苏苏州 215000 |
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摘 要: | 采用离子束沉积方法(IBAD)制备高温超导涂层导体的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层中已发现了YSZ薄膜中生长过程中会出现(001)和(011)取向竞争,该文在IBAD-YSZ薄膜的研究中,选取较弱的辅助离子束流和能量,发现随着束流的变化薄膜从(011)的纤维织构向(001)双轴织构的逐步过渡,这说明辅助束离子在薄膜生长过程中作用非常明显;这一现象除了选择性溅射模型和各向异性破坏模型能解释外,表面自由能和辅助离子束产生的沟道效应相互竞争的作用也可解释取向竞争现象。
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关 键 词: | 离子束辅助沉积 YSZ 辅助离子束 择优取向 |
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