| 4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究 |
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| 引用本文： | 胡林辉,谢家纯,王丽玉,徐军,易波.4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究[J].中国科学技术大学学报,2003,33(6):688-691. |
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| 作者姓名： | 胡林辉 谢家纯 王丽玉 徐军 易波 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (5 0 1 32 0 4 0 )，中科院创新项目 (KJCX2 -SW - 0 4 ) |
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| 摘 要： | 采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．
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| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基 二极管 温度 |
| 文章编号： | 0253-2778(2003)06-0688-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月25日 |
Temperature Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes |
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| HU Lin Hui,XIE Jia Chun,WANG Li YU,XU Jun,YI Bo.Temperature Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes[J].Journal of University of Science and Technology of China,2003,33(6):688-691. |
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| Authors: | HU Lin Hui XIE Jia Chun WANG Li YU XU Jun YI Bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC Schottky Barrier Diode Temperature |
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