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DOI
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分类号
杂志ISSN号
EDMOS的工艺和电性模拟
作者姓名:
李丽
作者单位:
无锡职业技术学院,江苏无锡214121
摘 要:
EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内,如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压.正归功于它们的优越性,这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管.
关 键 词:
EDMOS
Tsu4
深亚米半导体制造
工艺和电性模拟TCAD
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