|
|||||
|
|
| 脉冲偏场对形成正,负VBL的影响 | |
| 引用本文： | 孙会元,刘子军.脉冲偏场对形成正,负VBL的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版),1995,19(3):39-41. |
| 作者姓名： | 孙会元 刘子军 |
| 摘 要： | 实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发出了影响正，负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正，负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。 |
| 关 键 词： | 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴壁 硬化偏场 硬磁畴 |
| 修稿时间： | |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |