| 基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究 |
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| 引用本文： | 赵玉龙,赵立波,蒋庄德.基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究[J].西安交通大学学报,2002,36(11):1156-1158. |
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| 作者姓名： | 赵玉龙 赵立波 蒋庄德 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械工程学院,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”计划资助项目 ( 10 1-0 1) |
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| 摘 要： | 采用硅隔离SoI(Silicon on Insulator)技术，应用高能氧离子的注入方法，在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅，用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流。采用梁膜结合的压力传递机构，将被测压力与SoI敏感元件隔离开来，因此避免了被测压力的瞬时高温冲击，给出了传感器的结构模型和实验数据。测试结果表明，这种新型结构的耐高压力传感器，具有较好的动静态特性。
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| 关 键 词： | 硅隔离技术 耐高温压力传感器 压力传递机构 离子注入 敏感元件 压力测量 |
| 文章编号： | 0253-987X(2002)11-1156-03 |
| 修稿时间： | 2002年3月18日 |
Research of High Temperature Pressure Transducer Based on the Silicon on Insulator Technology |
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| Zhao Yulong,Zhao Libo,Jiang Zhuangde.Research of High Temperature Pressure Transducer Based on the Silicon on Insulator Technology[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2002,36(11):1156-1158. |
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| Authors: | Zhao Yulong Zhao Libo Jiang Zhuangde |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon on insulator pressure transferred structure high temperature resisting |
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