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| 用电荷抽取效应测定MOS晶体管中的少子复合寿命 | |
| 作者姓名： | 马民勋 黄保法 徐静芳 |
| 作者单位： | 华东师范大学物理系(马民勋，黄保法)，华东师范大学物理系(徐静芳) |
| 摘 要： | 本文介绍了应用电荷抽取效应测量MOS晶体管中少子复合寿命的方法.这种方法的优点是可以测定经过整个制造工艺过程后MOS晶体管中的少子体复合寿命和表面复合寿命,而且测试设备和数据处理都比较简单.文中给出了我们在室温和液氮温度下的初步测量结果,并对结果和方法本身进行了一些讨论. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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