650℃—900℃区间单晶硅塑性区的直接观察 |
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引用本文: | 李燮均,曾文光.650℃—900℃区间单晶硅塑性区的直接观察[J].中山大学学报(自然科学版),1983(2). |
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作者姓名: | 李燮均 曾文光 |
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作者单位: | 中山大学物理学系
(李燮均),中山大学物理学系(曾文光) |
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摘 要: | 采用三点弯曲加载方法观察细切口单晶硅试样在650℃—900℃温度区间的塑性区,其形状呈蝴蝶形,与结晶学取向密切相关。测定了由位错蚀坑所排成的最长那条滑移线长度及其与应力、温度的关系,进而计算了位错增殖和运动的阻力τ_0,结果表明,塑性区大小基木上与切口顶端应力平方成正比,而与温度、τ_0的关系较为复杂.温度和τ_0都是影响塑性区大小的敏感量.
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