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| SiCl_4-H_2体系低压硅外延的研究 | |
| 引用本文： | 刘明登,杨树人,许新民,李伟,傅则钟,柯岚,赵大力.SiCl_4-H_2体系低压硅外延的研究[J].吉林大学学报(理学版),1983(1). |
| 作者姓名： | 刘明登 杨树人 许新民 李伟 傅则钟 柯岚 赵大力 |
| 作者单位： | 吉林大学半导体系半化教研室，吉林大学半导体系半化教研室，吉林大学半导体系半化教研室，吉林大学半导体系半化教研室，吉林大学半导体系半化教研室，吉林大学半导体系半化教研室，吉林大学半导体系半化教研室 77级半导体材料专业毕业生，77级半导体材料专业毕业生，77级半导体材料专业毕业生，77级半导体材料专业毕业生 |
| 摘 要： | 应用SiCl_4氢还原法,在改进的常压卧式感应加热系统中进行了低压硅外延生长。生长温度为1050℃—1150℃,压力为160—80乇。对外延层的测试结果表明:低压外延在抑制自掺杂、改善外延层电阻率和厚度的均匀性,减少埋层图型漂移有明显的效果。所作的外延片已成功地用于半导体器件的制造中。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |