|
|||||
|
|
| 具有可调谐电子性能的AlAs/CdS异质结的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 赵佳恒 栾丽君 陈晶亮 张研 杨云 魏星 樊继斌 刘剑 田野 段理 |
| 作者单位： | 1. 长安大学材料科学与工程学院;2. 长安大学信息工程学院;3. 山东大学物理学院;4. 中国科学院物理研究所 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(编号:2018YFB1600200)；;国家自然科学基金(编号:51802025)；;陕西省科技计划项目(编号:2019JQ-676,2020KWZ-008)资助； |
| 摘 要： | 本文采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT)的第一性原理计算了AlAs/CdS异质结的几何结构、电子和光学性质.结果显示, AlAs/CdS异质结是具有0.688 eV直接带隙的Ⅱ型范德华(vdW)异质结,这有利于促进光生电子-空穴对的有效分离.当给异质结施加电场和应变时,异质结的带隙均可以调控为零,成功实现半导体到金属的转变,同时还伴随直接带隙-间接带隙的改变.更有趣的是,与两个单层相比, AlAs/CdS异质结的光吸收系数更高,吸收范围更加宽泛.上述特性表明AlAs/CdS异质结在光电探测器等光电子器件领域具有极大潜力. |
| 关 键 词： | 第一性原理 AlAs/CdS异质结 外加电场 应变 能带对准 |