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表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流
引用本文:高宏雷,盛钢,李玲,高洁.表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流[J].四川大学学报(自然科学版),2004,41(3):598-602.
作者姓名:高宏雷  盛钢  李玲  高洁
作者单位:四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
基金项目:科技部重大基础研究前期研究专项基金(2002CCA02600)
摘    要:表面声波(SAW)在GaAS/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流,根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响。

关 键 词:表面声波  准一维电子通道  量子阱  声电电流
文章编号:0490-6756(2004)03-0598-05
修稿时间:2003年12月8日

Quantized Current in One-dimensional Channel Induced by Surface Acoustic Waves
GAO Hong-lei,SHENG Gang,LI Ling,GAO Jie.Quantized Current in One-dimensional Channel Induced by Surface Acoustic Waves[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2004,41(3):598-602.
Authors:GAO Hong-lei  SHENG Gang  LI Ling  GAO Jie
Abstract:An acoustoelectric current is induced by a surface acoustic wave (SAW) launched along the quasi-one-dimensional electron channel defined in a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure by split gates. Using the WKB approximation, the authors calculated an acoutoelectric current in a pinched-off quasi-one-dimensional channel. The authors discussed the effect on acoustoeletric current caused by Coulomb interaction between electrons and source-drain bias.
Keywords:surface acoustic wave  quasi-one-dimensional electron channel  quantum well  acoustoelectric current
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