| 金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为 |
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| 引用本文： | 张文华,王国栋,王立武,李宗木,徐法强.金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为[J].中国科学技术大学学报,2007,37(4):569-574. |
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| 作者姓名： | 张文华 王国栋 王立武 李宗木 徐法强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 |
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| 摘 要： | 利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝（Rb—Alq3）薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为，结果表明铷和Alq3分子发生显著反应，电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道，形成活泼金属／有机接触中典型的带隙态，结合能位于1．2eV．在低温退火后，Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0．1eV，真空能级保持不变，带隙态仍然可辨；深度氧化后，带隙态消失，最高占据态（HOS）基本回到退火氧化处理前的位置，但真空能级抬高了近1ev．Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1eV，而纯净Alq3薄膜只增大0．05eV左右．
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| 关 键 词： | 8-羟基喹啉铝 铷 同步辐射 光电子能谱 |
| 文章编号： | 0253-2778（2007）04＆05-0569-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-252007-04-02 |
Annealing, oxidation and electronic structure of Alq3 film doped with rubidium |
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| ZHANG Wen-hua,WANG Guo-dong,WANG Li-wu,LI Zong-mu,XU Fa-qiang.Annealing, oxidation and electronic structure of Alq3 film doped with rubidium[J].Journal of University of Science and Technology of China,2007,37(4):569-574. |
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| Authors: | ZHANG Wen-hua WANG Guo-dong WANG Li-wu LI Zong-mu XU Fa-qiang |
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| Institution: | National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Alq3 Rb synchrotron radiatiom photoemission |
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