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在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究
引用本文:谭红,何锦林,汪大成,陈佳新. 在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究[J]. 贵州科学, 2003, 21(1): 17-19
作者姓名:谭红  何锦林  汪大成  陈佳新
作者单位:1. 贵州省理化测试中心,贵州,贵阳,550002
2. 贵州省冶金科学研究室,贵州,贵阳,550002
3. Department of Inorganic Chemistry,Chaimers University of Techmology,S412 96 GOTEBORG,SWEDEN
基金项目:国家自然科学基金资助项目(批准号:59761001)
摘    要:提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜,能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体,光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散,在Wagner理论基础上,用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。

关 键 词:Y2O3/SiO2薄膜 氧扩散系数 Sol-gel法 硅基材料 薄膜厚度 Wagner理论
文章编号:1003-6563(2003)01-2-0017-03
修稿时间:2002-08-30

A STUDY ON OXYGEN DIFFUSION THROUGH COATING THIN FILM FORMED BY SOL - GEL PROCESS
Abstract:
Keywords:Sol-gel  Y2O3/SiO2
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