| IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究 |
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| 引用本文： | 孙可平,苗凤娟.IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究[J].北京理工大学学报,2005,25(Z1):38-40. |
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| 作者姓名： | 孙可平 苗凤娟 |
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| 作者单位： | 上海海事大学,电磁兼容与静电研究室,上海,200135 |
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| 摘 要： | 在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm减少至0.003μm时,俘获空穴密度临界值由0.100 C/cm2减少至0.002 C/cm2.相应地,IC器件抗ESD的性能也急剧下降.
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| 关 键 词： | 静电放电 HBM模型 介质击穿 器件 脉冲电压 介质击穿 实验 研究 Pulse Device Breakdown Film Silicon Dioxide Investigation 性能 薄膜厚度 敏感 变化 临界值 俘获空穴密度 发现 氧化层 动电 |
| 文章编号： | 1001-0645(2005)增刊-038-03 |
| 修稿时间： | 2005年5月26日 |
Experimental Investigation on Silicon Dioxide Film Breakdown of IC Device Under ESD Pulse in HBM |
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| SUN Ke-ping,MIAO Feng-juan.Experimental Investigation on Silicon Dioxide Film Breakdown of IC Device Under ESD Pulse in HBM[J].Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition),2005,25(Z1):38-40. |
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| Authors: | SUN Ke-ping MIAO Feng-juan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrostatic discharge human body model dielectric breakdown |
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