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铝诱导晶化非晶硅薄膜研究
引用本文:刘伟,高斐,方晓玲,王建军,张佳雯,晏春愉. 铝诱导晶化非晶硅薄膜研究[J]. 陕西师范大学学报(自然科学版), 2007, 35(4): 33-36
作者姓名:刘伟  高斐  方晓玲  王建军  张佳雯  晏春愉
作者单位:陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西西安710062
基金项目:教育部留学回国人员科研启动基金;陕西师范大学校科研和教改项目
摘    要:应用晶化非晶硅(a—Si)薄膜铝诱导方法,采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、光学显微镜(Optical Microscopy,OM)和原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)等测试手段,研究了退火条件对样品晶化的影响.结果表明,样品在300℃下退火后仍为非晶态;退火温度为400℃时,样品开始晶化.随着退火时间的增加,薄膜晶化程度越来越高,晶粒越来越大,同时薄膜表面粗糙度增加.

关 键 词:铝诱导晶化  非晶硅薄膜  晶化率  退火时间
文章编号:1672-4291(2007)04-0033-04
收稿时间:2007-05-05
修稿时间:2007-05-05

Study on aluminum-induced crystallization of amorphous silicon thin film
LIU Wei,GAO Fei,FANG Xiao-ling,WANG Jian-jun,ZHANG Jia-wen,YAN Chun-yu. Study on aluminum-induced crystallization of amorphous silicon thin film[J]. Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed, 2007, 35(4): 33-36
Authors:LIU Wei  GAO Fei  FANG Xiao-ling  WANG Jian-jun  ZHANG Jia-wen  YAN Chun-yu
Abstract:
Keywords:aluminum-induced crystallization   amorphous silicon thin film   crystalline volume fraction   annealing time
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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