| 热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响 |
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| 引用本文： | 齐鸾亭,潘飞溪.热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响[J].四川大学学报(自然科学版),1994,31(3):326-328. |
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| 作者姓名： | 齐鸾亭 潘飞溪 |
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| 摘 要： | 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。
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| 关 键 词： | 电子辐照 多稳态缺陷 热处理 硅 |
EFFECTS OF HEAT TREATMENT ON THE MULTISTABLE DEFECT IN ELECTRON-IRRADIATED SILICO |
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| NQi Luanting Pan Feiqi You Zhipu.EFFECTS OF HEAT TREATMENT ON THE MULTISTABLE DEFECT IN ELECTRON-IRRADIATED SILICO[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),1994,31(3):326-328. |
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| Authors: | NQi Luanting Pan Feiqi You Zhipu |
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| Institution: | Department of Physics |
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| Keywords: | electron irradiation multistable defect heat treatment E-center |
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