| 电极材料对NbOx Mott忆阻器稳定性的影响 |
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| 引用本文： | 赵淑景,任文君,方胜利,刘卫华,李昕,王小力,杨世强,韩传余.电极材料对NbOx Mott忆阻器稳定性的影响[J].西安交通大学学报,2023(12):129-135. |
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| 作者姓名： | 赵淑景 任文君 方胜利 刘卫华 李昕 王小力 杨世强 韩传余 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学微电子学院;2. 西安交通大学体育中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62174130)；;陕西省重点研发计划资助项目(2022GY-337,2021GY-175)； |
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| 摘 要： | 为了改善NbOxMott忆阻器电学稳定性和一致性，提升NbOx Mott忆阻器构建人工脉冲神经元的应用潜力，研究制备了通孔型NbOx Mott忆阻器，并对比研究了Pt、W电极材料对器件稳定性和一致性的影响。研究结果表明，相较于常见报道的Pt电极器件，采用W电极的NbOx Mott忆阻器表现出了更为优越的稳定性和一致性。此外，利用NbOx Mott忆阻器搭建了振荡电路，成功实现了人工脉冲神经元的功能。基于W电极NbOxMott忆阻器的人工脉冲神经元可以稳定振荡时间超过106 s,循环耐久性可达1012次以上，其振荡波形的幅度及频率稳定性远好于基于Pt电极的人工脉冲神经元。进一步的XPS结果显示，在基于W电极的NbOxMott忆阻器中，W和NbOx界面生成了一层致密的WOx层，有效地阻挡了氧空位在NbOx材料中的迁移。相比之下，基...
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| 关 键 词： | Mott忆阻器 NbOx 阈值阻变 稳定性 人工神经元 电极材料 |
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