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| 用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ) | |
| 引用本文： | 张淑芝,张燕锋,黄伯标,黄根生,秦晓燕.用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ)[J].山东大学学报(理学版),1998(4). |
| 作者姓名： | 张淑芝 张燕锋 黄伯标 黄根生 秦晓燕 |
| 作者单位： | 山东大学光电系，山东大学晶体材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数．对其结果进行了讨论，给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值，Δ０的实验值与计算值符合的很好． |
| 关 键 词： | 带隙 椭圆偏振光谱 峰展宽 |
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