| 溶剂热合成CdS纳米棒及其与PVK复合薄膜的光电性质 |
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| 作者姓名： | 姬彦玲 程轲 张红美 张兴堂 李蕴才 杜祖亮 |
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| 作者单位： | 河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475004;河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475004;河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475004;河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475004;河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475004;河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：20371015,90306010）、教育部新世纪优秀人才计划（批准号：NCET-04-0653）和国家重点基础研究发展计划（批准号：2007CB616911）资助项目 |
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| 摘 要： | 利用Cd(CH3COO)2·2H2O与Na2S·9H2O, 以双齿络合剂乙二胺辅助水溶液通过溶剂热法合成了高产率的CdS纳米棒. X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果表明, 产物为六方纤锌矿相的三齿状CdS纳米棒, 直径约为10~15 nm, 臂长为100 nm左右; 利用旋转涂膜在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底制备了不同含量CdS与聚乙烯基咔唑(PVK)复合结构薄膜, 荧光光谱结果显示出复合薄膜荧光强度随CdS组分的增加而逐渐降低, 而表面光电压谱图则表明相应的光电压信号逐渐增强, 这种现象主要是由于CdS与PVK之间存在匹配的能级, 促使两者发生了电荷转移, 使电子-空穴对产生了有效分离而提高载流子产生效率, 同时我们对两者之间发生的电荷转移过程进行了分析.
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| 关 键 词： | CdS纳米棒 聚乙烯基咔唑(PVK) 表面光电压谱(SPS) 电荷转移 |
| 收稿时间： | 2007-05-31 |
| 修稿时间： | 2007-05-31 |
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