| 从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质 |
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| 作者姓名： | 彭英姿 Thomas Liew 叶志镇 张银珠 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学理学院,材料物理研究所,杭州,310018;Data Storage Institute, DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608;Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore 119260;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
2. Data Storage Institute, DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608;Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore 119260
3. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 杭州电子科技大学科学研究基金（批准号：KYF091506003）和浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金（批准号：200603）资助项目;致谢 作者感谢孙科伟和汪友梅老师的有益讨论及李东法老师的帮助,感谢新加坡数据储存研究所的支持. |
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| 摘 要： | 研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质. 晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜. 当室温或低于室温时该薄膜具有磁性. Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线, 在55 K附近出现了一个小峰. 小峰出现的温度与文献中报道的“奇异峰”出现的温度相似, 虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显. 没有实验结果表明引文中的“奇异峰”与纳米材料的量子效应有相关性. Zn0.95Co0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释. 并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 磁学本质 奇异磁学行为 ZnO基 |
| 收稿时间： | 2007-04-09 |
| 修稿时间： | 2007-04-09 |
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