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激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算
作者姓名:
田人和
贺凯芬
作者单位:
低能核物理研究所理论组,低能核物理研究所理论组
摘 要:
一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长”过程。因此激光退火有熔化和固相生长两种机制。
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