| 六方GaN空位缺陷的电子结构 |
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| 引用本文： | 介伟伟,杨春. 六方GaN空位缺陷的电子结构[J]. 四川师范大学学报(自然科学版), 2010, 33(6). DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.06.017 |
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| 作者姓名： | 介伟伟 杨春 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放项目 |
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| 摘 要： | 用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型(Ga和N不同比例情况下的空位型GaN)的能带结构、差分电子密度、电子态密度,详细讨论了各种空位缺陷对GaN性能的影响.结果显示,带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加而不断增大,Ga空位是一种受主缺陷,N空位是施主缺陷;N空位的增加导致GaN电导率的下降.
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| 关 键 词： | 第一性原理 六方GaN 能带结构 态密度 |
The Electronic Structures of Vacancy Defects in Hexagonal GaN |
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| JIE Wei-wei,YANG Chun. The Electronic Structures of Vacancy Defects in Hexagonal GaN[J]. Journal of Sichuan Normal University(Natural Science), 2010, 33(6). DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.06.017 |
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| Authors: | JIE Wei-wei YANG Chun |
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