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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
σ-π共轭高分子导电性的理论研究
作者姓名:
王天赤
张桂玲
戴柏青
作者单位:
哈尔滨师范大学;哈尔滨师范大学;哈尔滨师范大学
摘 要:
采用密度泛函(DFT)和PBC方法对σ-π共轭高分子电子结构和带隙进行理论研究,电荷掺杂和聚合物中π共轭链长度对带隙降低起到重要作用,发现PBD是一种窄带隙的高分子.
关 键 词:
密度泛函
σ-π共轭
带隙
电荷掺杂
修稿时间:
2006-05-21
本文献已被
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