在直流电场作用下α-LiIO_3单晶的沟道行为

a-LiIO_3晶体是一种离子导体,加上c向静电场后,已观察到一系列的异常现象,如中子衍射增强,光衍射增强。因此,引起人们极大注意。在c向静电场作用下,a-LilO_3单晶的沟道效应研究也有报道,但没有观察到沟道行为的变化。本工作用MeV能量的质子束,较精密地测定了a-LiIO_3单晶<0001>轴沟道参数角度半宽度(?)_(1/2)和产额极小值x_(min)。在c向静电场作用下,已观察到<0001>轴沟道行为的变化,并进行了定量计算和物理解释。