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| C/C基体上ZrB2/SiC复合涂层的抗烧蚀性增强方法 | |
| 作者姓名： | 高志廷 马壮 柳彦博 刘强 王一帆 王冬 |
| 作者单位： | 1. 北京理工大学材料学院;2. 北京理工大学重庆创新中心;3. 东北大学材料学院;4. 空装驻北京地区第二军事代表室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51772027）； |
| 摘 要： | 研究高压热流场景下，在碳/碳(C/C)基体表面Zr B2/Si C复合涂层的抗烧蚀性增强方法.在等离子体喷涂Zr B2/Si C复合涂层表面，采用CH3Si Cl3–H2–Ar系统，化学气相沉积(CVD)–Si C密封层.对Zr B2/Si C涂层与CVD–Si C密封层的结构演化、烧蚀性能与烧蚀机理进行了研究.结果表明：CVD–Si C密封层增强的Zr B2/Si C复合涂层经过两个600 s循环烧蚀后，仍然具备抗烧蚀性能，表面CVD–Si C由β相向α相转化.CVD–Si C密封层填充了等离子喷涂Zr B2/Si C复合涂层的空隙，限制了氧沿着涂层裂纹和孔洞向C/C基体扩散，进而提高了抗烧蚀性. |
| 关 键 词： | 密封层 烧蚀 等离子喷涂 C/C复合材料 化学气相沉积 |