| GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究 |
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| 引用本文： | 俞梅,陈效双.GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究[J].南京大学学报(自然科学版),1995,31(3):377-382. |
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| 作者姓名： | 俞梅 陈效双 |
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| 作者单位： | 华东冶金学院基础部，南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。
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| 关 键 词： | 电子共振隧穿，双势垒微扰方法 |
THE INDIRECT ELECTRON TUNNELING IN DOUBLE BARRIER STRUCTURE GaAS/AlDaAs |
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| Yu Mei , Chen Xiaoshuang , Wang Guanghou.THE INDIRECT ELECTRON TUNNELING IN DOUBLE BARRIER STRUCTURE GaAS/AlDaAs[J].Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed,1995,31(3):377-382. |
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| Authors: | Yu Mei Chen Xiaoshuang Wang Guanghou |
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| Institution: | Yu Mei 1), Chen Xiaoshuang 2), Wang Guanghou 2) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Double barrier electron tunneling Perturbed method |
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