| 氢化非晶硅光电导研究中的新现象 |
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| 引用本文： | 施伟华 陈坤基. 氢化非晶硅光电导研究中的新现象[J]. 南京大学学报(自然科学版), 1995, 31(1): 20-24 |
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| 作者姓名： | 施伟华 陈坤基 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系 |
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| 摘 要： | 研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区．分析了ａ—Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系．
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅，光电导，热淬灭，非晶态半导体 |
NEW FEATURE OF PHOTOCONDUCTIVITY IN a-SI: H FILMS |
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| Shi Weihua, Chen Kunji, Du Jiafang, Li Zhifeng. NEW FEATURE OF PHOTOCONDUCTIVITY IN a-SI: H FILMS[J]. Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed, 1995, 31(1): 20-24 |
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| Authors: | Shi Weihua Chen Kunji Du Jiafang Li Zhifeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogenated amorphous silicon photoconductivity thermal quenching |
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