铜氧化物的晶体结构参量与超导电性

以ｄＡ（ＣｕＯ２面上Ｃｕ（Ｐ）和顶角氧Ｏ（Ａ）键长）对△Ｖｄ（沿Ｃｕ（Ｐ）－Ｏ（Ａ）键和沿Ｃｕ（Ｐ）－Ｏ（Ｐ）健方向一个空穴的平均Ｍａｄｅｌｕｎｇ位势差）做图，发现所有铜氧化物超导体的转变温度和结构参量存在一确定的变化规律，不同超导系统被明显地分离开来，Ｔｃ既随ｄＡ也随△Ｖｄ的增大而增大，本文从晶体结构的角度分析了产生该现象的原因。