| 多孔硅形成机理研究的新进展 |
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| 引用本文： | 付世,丁德宏,姚朋军,单新华,沈桂芬.多孔硅形成机理研究的新进展[J].辽宁大学学报(自然科学版),2003,30(1):93-96. |
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| 作者姓名： | 付世 丁德宏 姚朋军 单新华 沈桂芬 |
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| 作者单位： | 辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036 |
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| 摘 要： | 更深入地分析了多孔硅形成的几种模型，对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点，描述了多孔硅的形成过程的一些特性，指出了多孔硅的应用与发展的前景。
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| 关 键 词： | 多孔硅 形成机理 晶向 散射 孔隙度 研究进展 半导体材料 反应剂 |
| 文章编号： | 1000-5846(2003)01-0093-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月13日 |
A Review on the Lastest Research on Formation Mechanism of Porous Silicon |
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| FU Shi,DING De hong,YAO Peng jun,SHAN Xin hua,SHEN Gui fen.A Review on the Lastest Research on Formation Mechanism of Porous Silicon[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2003,30(1):93-96. |
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| Authors: | FU Shi DING De hong YAO Peng jun SHAN Xin hua SHEN Gui fen |
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| Abstract: | The paper analyses three models about formation of porous silicon, including some new opinions about a few factors influencing the formation of porous silicon, explaining some properties of porous silicon in the formation process and presenting the expectation of its future application and development. |
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| Keywords: | porous silicon crystal orientation scattering degree of holes |
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