| 赝三元半导体致冷材料的研究 |
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| 引用本文： | 赵秀平 李将禄. 赝三元半导体致冷材料的研究[J]. 哈尔滨师范大学自然科学学报, 1993, 9(4): 27-31 |
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| 作者姓名： | 赵秀平 李将禄 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学，哈尔滨师范大学，哈尔滨师范大学，哈尔滨师范大学，哈尔滨师范大学 |
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| 摘 要： | 研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10~(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。
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| 关 键 词： | 区熔法 赝三元系 半导体 制冷材料 |
THE DEVELOPMENT OF THE PSEUDO-TERNARY SEMICONDUCTOR COOLING MATERIAL |
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| Zhao Xiuping Li Jianglu Rong Jianying Dong Xingcai Zhao Hongan. THE DEVELOPMENT OF THE PSEUDO-TERNARY SEMICONDUCTOR COOLING MATERIAL[J]. Natural Science Journal of Harbin Normal University, 1993, 9(4): 27-31 |
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| Authors: | Zhao Xiuping Li Jianglu Rong Jianying Dong Xingcai Zhao Hongan |
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| Affiliation: | Harbin Normal University |
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| Keywords: | |
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