基于共振隧穿结构的压阻系数 |
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作者姓名: | 魏天杰 薛晨阳 李艳 张文栋 |
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作者单位: | [1]中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051 [2]中北大学物理系,太原030051 |
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摘 要: | 以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同。由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件。但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值。另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性。本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右。
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关 键 词: | 共振隧穿结构 压阻系数 I-V曲线 灵敏度 |
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