| 深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析 |
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| 引用本文： | 唐守龙,吴建辉,罗岚. 深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析[J]. 应用科学学报, 2006, 24(4): 372-376 |
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| 作者姓名： | 唐守龙 吴建辉 罗岚 |
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| 作者单位： | 东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%.
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| 关 键 词： | CMOS射频集成电路 混频器 深亚微米工艺 噪声 |
| 文章编号： | 0255-8297（2006）04-0372-05 |
| 收稿时间： | 2005-03-30 |
| 修稿时间： | 2005-03-302005-05-23 |
Noise in Deep Submicron CMOS Gilbert Mixers |
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| TANG Shou-long,WU Jian-hui,LUO Lan. Noise in Deep Submicron CMOS Gilbert Mixers[J]. Journal of Applied Sciences, 2006, 24(4): 372-376 |
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| Authors: | TANG Shou-long WU Jian-hui LUO Lan |
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| Affiliation: | National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS RF IC mixer deep submicron technology noise |
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