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| 氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究 | |
| 引用本文： | 李静,吴孙桃,叶建辉,LI S F Y. 氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2003, 42(5): 591-595 |
| 作者姓名： | 李静 吴孙桃 叶建辉 LI S F Y |
| 作者单位： | 1. 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005;新加坡国立大学材料与工程研究所,新加坡,119206;新加坡国立大学化学系,新加坡,119206 2. 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005 3. 新加坡国立大学材料与工程研究所,新加坡,119206 4. 新加坡国立大学化学系,新加坡,119206 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划(90206039)，国家重点基础研究发展规划(001CB610505)资助 |
| 摘 要： | 利用扫描隧道显微技术(STM)和X-射线光电子能谱(XPS)技术。研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F-HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度。通过分析表面的STM图像与XPS谱图，表明在较高pH值的NH4F-HCl 溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小，且表面洁净度及化学稳定性较好。 |
| 关 键 词： | 硅 半导体工艺 湿法腐蚀 氟化物溶液 表面形态 洁净度 STM XPS 表面粗糙度 化学稳定性 |
| 文章编号： | 0438-0479(2003)05-0591-05 |
| 修稿时间： | 2003-01-10 |
The STM and XPS Characterization of Etched Si (111) Surfaces |
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| LI S F Y. The STM and XPS Characterization of Etched Si (111) Surfaces[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 2003, 42(5): 591-595 | |
| Authors: | LI S F Y |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si (111)surface etching STM XPS |
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