硅藻土表面羟基的~1H魔角旋转核磁共振谱 |
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作者姓名: | 袁鹏 吴大清 陈忠 陈志伟 林种玉 刁桂仪 彭金莲 |
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作者单位: | 1. 中国科学院广州地球化学研究所;厦门大学 2. 中国科学院广州地球化学研究所, 3. 厦门大学化学 化工学院, |
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摘 要: | 采用高转速的1H魔角旋转核磁共振技术, 成功分辨了硅藻土表面不同类型的羟基: 孤立羟基、氢键缔合羟基, 以及表面吸附的孔隙水和氢键结合水. 其质子的化学位移(δ)分别约为2.0, 6.0~7.1, 4.9和3.0. 随热处理温度逐渐升高, 孔隙水、氢键结合水先后脱附, 导致代表孤立羟基质子、氢键缔合羟基质子的谱峰的相对强度增加, 1000℃时达到最大. 1100℃时, 强氢键缔合羟基、孤立羟基基本缩合, 弱氢键缔合羟基则仍有部分保留于微孔之中.
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关 键 词: | 硅藻土 表面羟基 ~1H魔角旋转核磁共振谱 热处理 |
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