| 电阻转变型非挥发性存储器概述 |
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| 引用本文： | 李颖弢,龙世兵,吕杭炳,刘琦,刘肃,刘明.电阻转变型非挥发性存储器概述[J].科学通报,2011,56(24):1967-1973. |
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| 作者姓名： | 李颖弢 龙世兵 吕杭炳 刘琦 刘肃 刘明 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院;中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2010CB934200,2011CBA00602); 国家自然科学基金(60825403,50972160)资助项目 |
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| 摘 要： | 随着材料科学以及半导体技术的高速发展, 电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势, 引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点. 和所有产品一样, RRAM 器件也需要一些性能参数来评判其优缺点. 对RRAM 器件来说, 评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率. 此外, 还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理, 不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结. 最后, 对RRAM 存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.
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| 关 键 词： | 电阻转变存储器 电阻转变 特性参数 |
| 收稿时间： | 2011-01-17 |
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