| 快速晶闸管n基区金浓度DLTS分析 |
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| 引用本文： | 田敬民,肖浦英. 快速晶闸管n基区金浓度DLTS分析[J]. 西安理工大学学报, 1986, 0(4) |
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| 作者姓名： | 田敬民 肖浦英 |
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| 作者单位： | 陕西机械学院自动控制系，陕西机械学院自动控制系 |
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| 摘 要： | 本文通过对晶闸管关断物理过程的分析得到:n基区深中心的最佳剖面分布应是N_t(j_2)>N_t(j_1)。经过实验,根据DLTS和电特性参数的测量、分析的结果可知,硼、磷扩散浓度和金掺杂总量都会改变n基区的金分布,且不同的金分布相应于不同V_T～t_q。折衷曲线。所以,快速晶闸管n基区金浓度的最佳分布,应当有相应的最佳V_T～t_q折衷曲线,它依赖于硼、磷、金扩散的最佳配合。
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| 关 键 词： | 快速晶闸管 深能级复合中心 金浓度最佳分布 |
THE GOLD CONCENTRATION DLTS ANALYSIS OF n BASE FOR FAST SWITCHING THYRISTOR |
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| Tian Jingmin Xiao Puying. THE GOLD CONCENTRATION DLTS ANALYSIS OF n BASE FOR FAST SWITCHING THYRISTOR[J]. Journal of Xi'an University of Technology, 1986, 0(4) |
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| Authors: | Tian Jingmin Xiao Puying |
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| Affiliation: | Tian Jingmin Xiao Puying |
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| Keywords: | Optimizing Profile Deep Level Recombination Center Compromise Curse DLTS-deep Level Transient Spectrometer. |
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